(411)A GaAs基板上にMBE成長したInGaAs/AlGaAs歪量子井戸 (5)

文献

J-GLOBAL ID：200902175954826267 整理番号：98A0522262

Strained InGaAs/AlGsAs Quantum wells on (411)A GaAs Substrates grown by MBE. (5).

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資料名：
巻： 45th 号： 3 ページ： 1328 発行年： 1998年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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