MBE成長による(411)A GaAs基板上に格子緩和したIn<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As

文献

J-GLOBAL ID：200902181175472955 整理番号：98A0481643

MBE成長による(411)A GaAs基板上に格子緩和したIn_0.5Ga_0.5As

In0.5Ga0.5As lattice-relaxed layer on (411)A GaAs substrates by MBE.

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資料名：
巻： 45th 号： 1 ページ： 380 発行年： 1998年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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