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J-GLOBAL ID：200902193467219493   整理番号：99A0169378

(411)A GaAs基板上にMBE成長したInGaAs/GaAsP歪量子井戸

InGaAs/GaAsP quantum wells grown on (411)A GaAs substrates by MBE.

著者 (6件)： 紙本整 (大阪大 大学院) ,  立岡靖晃 (大阪大 大学院) ,  北野良昭 (大阪大 大学院) ,  北田貴弘 (大阪大 大学院) ,  下村哲 (大阪大 大学院) ,  冷水佐寿 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 3  ページ： 1158  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  InGaAs ,  GaAsP ,  歪 ,  量子井戸