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J-GLOBAL ID：200902212452120282   整理番号：03A0184127

水素サーファクタントが媒介したエピタクシーにより成長させたSi(0001)上のGe膜の形態の熱安定性

Thermal Stability in the Morphology of Ge Films on Si(001) Grown by Hydrogen-Surfactant-Mediated Epitaxy.

著者 (6件)： FUJINO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKUNO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHINDO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUSHIMA R (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OURA K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 1A/B  ページ： L63-L66  発行年： 2003年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素サーファクタントが媒介するエピタクシーにより作成したSi...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： CAICISS

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• 1) G. M. Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg and R. S. Williams: Science 279 (1998) 353.
• 2) F. M. Ross, R. M. Tromp and M. C. Reuter: Science 286 (1999) 1931.
• 3) H. J. Kim and Y. H. Xie: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 263.
• 4) A. Rastelli, M. Kummer and H. von Känel: Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 256101.
• 5) M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras and R. M. Tromp: Phys. Rev. Lett. 63 (1989) 632.

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素 ,  サーファクタント ,  エピタクシー ,  成長 ,  Si ,  Ge ,  形態 ,  熱安定性