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文献J-GLOBAL ID:200902212452120282整理番号:03A0184127

Thermal Stability in the Morphology of Ge Films on Si(001) Grown by Hydrogen-Surfactant-Mediated Epitaxy.

水素サーファクタントが媒介したエピタクシーにより成長させたSi(0001)上のGe膜の形態の熱安定性

著者:FUJINO T(Osaka Univ., Osaka, JPN)、KATAYAMA M(Osaka Univ., Osaka, JPN)、OKUNO T(Osaka Univ., Osaka, JPN)・・・
資料名:Jpn J Appl Phys Part 2 巻:42 号:1A/B ページ:L63-L66
発行年:2003年01月15日
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