文献

J-GLOBAL ID：200902212473340703   整理番号：07A0626227

炭素ドーピング超低κ誘電体層のプラズマエッチングに関するC₄F₈/O₂ガス比率を変えた研究

Investigation of varying C₄F₈/O₂ gas ratios on the plasma etching of carbon doped ultra-low-k dielectric layers

著者 (2件)： REID I (Dublin City Univ., Dublin, IRL) ,  HUGHES G (Dublin City Univ., Dublin, IRL)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 22  号： 6  ページ： 636-640  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚いフルオロカーボン膜がエッチングプロセスを妨げることから,...

シソーラス用語： 炭素 ,...
準シソーラス用語： エッチング速度 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0626227&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0503B") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (1件)： オクタフルオロシクロブタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素ドーピング ,  プラズマエッチング ,  O2 ,  比率 ,  研究