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J-GLOBAL ID：200902217355020259   整理番号：05A0427246

TiN/HfSiON界面反応がHigh-k膜の結晶化温度と電気特性に及ぼす影響

著者 (9件)： 吉田慎一 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡辺康匡 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 905  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  HfSiON ,  界面反応 ,  high-k膜 ,  結晶化温度 ,  電気特性