研究者
J-GLOBAL ID:200901033902200685
更新日: 2024年04月17日
安武 潔
ヤスタケ キヨシ | Yasutake Kiyoshi
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署:
大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻 について
「大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻」ですべてを検索
機関情報を見る
職名:
教授
研究分野 (4件):
加工学、生産工学
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (9件):
表面・界面物性制御
, 半導体材料プロセス
, 機能性薄膜
, crystal defects
, surface and interface
, atomically controlled processes
, functional materials
, thin films
, semiconductor materials
競争的資金等の研究課題 (5件):
表面原子制御プロセス
表面・界面・結晶欠陥の物性解明と制御
半導体薄膜の作製プロセスと評価
Low Temperature Growth of Functional Material Thin Films with High Growth Rate
Fabrication and Characterization of Semiconductor Thin Films
MISC (210件):
Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake. PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2010. 157. 2. D85-D89
Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake. PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2010. 157. 2. D85-D89
Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake. Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009. 95. 18
Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake. Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009. 95. 18
Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake. Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2007. 91. 16
もっと見る
特許 (4件):
Dry Etching Method and Apparatus
原子線分光装置
ドライエッチング方法および装置
Dry Etching Method and Apparatus
書籍 (3件):
究極の物づくり 原子を操る(森 勇藏編) 第二章 機能する薄膜を作る
大阪大学出版会 2002
MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH AND DEFECT LEVELS IN PLASTICALLY DEFORMED SILICON CRYSTALS
Defect Control in Semiconductors II 1990
MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH AND DEFECT LEVELS IN PLASTICALLY DEFORMED SILICON CRYSTALS
Defect Control in Semiconductors II 1990
Works (4件):
グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点
2008 -
Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology
2008 -
ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
2004 -
原子論的生産技術の創出拠点
2004 -
学位 (1件):
工学博士
委員歴 (1件):
2004 - 精密工学会 技術賞審査委員
受賞 (2件):
2004 - 精密工学会沼田記念論文賞
1994 - 精密工学会 関西支部講演論文賞
所属学会 (3件):
金属学会
, 応用物理学会
, 精密工学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM