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J-GLOBAL ID：200902231886684987   整理番号：08A0331399

分子エレクトロニクスの基盤技術-6 カーボンナノチューブトランジスタ

著者 (7件)： 日浦英文 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  本郷廣生 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  石田真彦 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  二瓶史行 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  落合幸徳 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  多田哲也 (産業技術総合研 次世代半導体研究セ) ,  金山敏彦 (産業技術総合研 次世代半導体研究セ)
資料名： 機能材料  (Function & Materials)
巻： 28  号： 5  ページ： 78-87  発行年： 2008年04月05日 
JST資料番号： Y0021A  ISSN： 0286-4835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブエレクトロニクスのデバイス作成技術における位置づけを電界効果トランジスタFETを中心に概説した。まずカーボンナノチューブCNTの概要,半導体タイプと金属タイプが存在することを述べ,単層CNT FETの実例を示した。カーボンナノチューブトランジスタの作成方法としてフォトリソグラフィーと蒸着リフトオフで形成後,超音波分散された懸濁液を電極に滴下する方法,熱CVDでその場成長させて電極形成の二つがある。カーボンナノチューブチャネルの位置・直径制御と方向制御,電荷移動ドーピングによるpn伝導制御における原理とドーパント候補について紹介した。ゲート電圧のしきい値,電子親和力,イオン化ポテンシャルなどの物性条件が満たされるドーパントを選択すれば,単層CNTチャネルのpn伝導制御が可能であると結論した。

シソーラス用語： *ナノチューブ ,  単一層 ,  *マイクロエレクトロニクス ,  分子素子 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ドーピング ,  半導性 ,  薄膜成長 ,  フォトリソグラフィー ,  化学蒸着 ,  電荷移動 ,  ドーパント ,  電気伝導 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： *分子エレクトロニクス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子エレクトロニクス ,  基盤技術