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J-GLOBAL ID：200902255860078422   整理番号：05A0852207

高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極との界面反応の評価

著者 (10件)： 喜多祐起 (大阪大 大学院工学研究科) ,  吉田慎一 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡辺康匡 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2005  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： J44  発行年： 2005年09月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 誘電率 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  メタル ,  ゲート電極 ,  界面反応 ,  評価