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J-GLOBAL ID：200902260683535277   整理番号：06A0932038

X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価

著者 (10件)： 川村浩太 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三島永嗣 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  神山聡 (半導体先端テクノロジーズ) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2006  号： 春季(CD-ROM)  ページ： I04  発行年： 2006年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： *HfSiON

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子物性一般  (BM01000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線反射率測定 ,  TiN ,  HfSiON ,  界面 ,  熱安定性 ,  評価