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J-GLOBAL ID：200902261639066410   整理番号：09A1026931

槽内電位逆解析による電気銅めっき電流密度推定法とその検証実験

An Estimation Method of Copper Electroplating Current Densities by Inverse Analysis of Electric Potentials in Cells and Its Experimental Verification

著者 (4件)： 岸本喜直 (東京工大 大学院情報理工学研究科) ,  岸本喜直 (日本学術振興会) ,  天谷賢治 (東京工大 大学院情報理工学研究科) ,  早房敬祐 (荏原総合研)
資料名： 日本機械学会論文集 A編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series A)
巻： 75  号： 757  ページ： 1239-1246  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： F0227B  ISSN： 0387-5008  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究ではLSI製造工程における電気銅めっきを対象として,測定しためっき構内の電位を逆解析することで,めっき表面上の電流密度を推定する手法を開発した。めっき槽内の電位は細管を挿入して測定する。電位測定用の細管は撹拌パドルに付けることで広範囲の電位を効率良く測定できる。本逆解析手法はTikhonovの適切化法を用いた概値推定とそこから得られる分極曲線による推定電流密度の修正からなる。電気銅めっき装置による検証実験を行い,本手法の有効性を検討した。得られためっき表面上の電流密度の推定結果を示し,従来の数値解析で得られる傾向とよく合うことを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *銅めっき ,  *電流密度 ,  推定 ,  LSI【IC】 ,  めっき設備 ,  電位 ,  電位差測定法 ,  実験 ,  検証 ,  *逆問題 ,  分極 ,  境界要素法 ,  数学モデル ,  電場

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  電解理論  (XE02020T)

引用文献 (18件)：

• 1) HODAI M. Cu Interconnect Plating System. Ebara Engineering Review. (2005) vol.207, p.30-33.
• 2) KURIYAMA F. Bump Plating System. Ebara Engineering Review. (2005) vol.207, p.34-38.
• 3) AOKI S. Boundary Element Simulation of Electroplating on Silicon Wafer. The Journal of the Surface Finishing Society of Japan. (2000) vol.51, no.4, p.425-430.
• 4) AOKI S. Optimization of Electroplating on Silicon Wafer. Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers, Series A. (2002) vol.68, no.666, p.133-138.
• 5) HAYABUSA K. Development of a Plating Simulation Method for 3-Dimensional Models. Proceedings of the 2006 Annual Meeting of JSME/MMD, 08. (2006) vol.06, no.4, p.409-410.

タイトルに関連する用語 (7件)： 槽 ,  電位 ,  逆解析 ,  銅めっき ,  電流密度 ,  推定 ,  検証実験