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J-GLOBAL ID：200902267670015805   整理番号：03A0176744

半導体プロセスにおけるオゾンの利用 オゾンを利用したシリコン酸化膜形成 電気的特性の高い極薄シリコン酸化膜の低温(400°C)形成

著者 (2件)： 一村信吾 (産業技術総合研) ,  野中秀彦 (産業技術総合研)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 13  号： 3  ページ： 16-19  発行年： 2003年03月01日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らは,運動エネルギーが小さい,電気的に中性な,反応活性度...

シソーラス用語： 半導体プロセス ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体プロセス ,  オゾン ,  シリコン酸化膜 ,  電気的特性 ,  極 ,  低温