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J-GLOBAL ID：200902292461006488   整理番号：05A0850246

メタル電極形成条件がTiN/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響

著者 (10件)： 渡辺康匡 (大阪大 大学院工学研究科) ,  吉田慎一 (大阪大 大学院工学研究科) ,  喜多祐起 (大阪大 大学院工学研究科) ,  志村考功 (大阪大 大学院工学研究科) ,  渡部平司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 66th  号： 2  ページ： 684  発行年： 2005年09月07日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電極 ,...
準シソーラス用語： EOT

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分類 (4件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： メタル電極 ,  TiN ,  HfSiON ,  界面反応 ,  電気特性