特許
J-GLOBAL ID：200903019393338863
CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
杉村 憲司
, 杉村 興作
, 来間 清志
, 藤谷 史朗
, 澤田 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261935
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。【解決手段】CZ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
CZ法によってSi単結晶インゴットを製造するに際し、先行する引き上げ処理で育成されたSi単結晶インゴットの複数の結晶位置から切り出されたウェーハの径方向における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整することを特徴とするCZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B29/06 A
, C30B29/06 502J
, C30B15/20
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH09
, 4G077GA02
, 4G077GA05
, 4G077HA12
, 4G077PF55
