CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (5件)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261935
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。【解決手段】CZ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

CZ法によってSi単結晶インゴットを製造するに際し、先行する引き上げ処理で育成されたSi単結晶インゴットの複数の結晶位置から切り出されたウェーハの径方向における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整することを特徴とするCZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 15/20

FI (3件)：

C30B29/06 A , C30B29/06 502J , C30B15/20

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EH09 , 4G077GA02 , 4G077GA05 , 4G077HA12 , 4G077PF55

引用特許：

審査官引用 (3件)

結晶欠陥測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-320457 出願人：富士通株式会社
シリコン単結晶の欠陥制御法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-088101 出願人：コマツ電子金属株式会社
点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335326 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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