特許
J-GLOBAL ID：200903036724255833
磁気構造解析方法とそれに使用するスピン偏極イオン散乱分光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190277
公開番号（公開出願番号）：特開2009-216387
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】最表面2〜3原子層における元素と原子層とを選別した磁気構造解析を行う方法とその装置を提供する。【解決手段】試料から散乱した散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、その計測データにより試料表面の磁気構造を解析する。 スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、前記スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、前記真空槽内に位置して、前記試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スピン偏極イオンを試料に入射して、その散乱イオンを計測して磁気構造を解析する方法であって、前記散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、試料に入射するイオンの中性化確率のスピン依存から試料表面の磁気構造を解析する方法
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
2G001AA05
, 2G001BA14
, 2G001CA05
, 2G001EA04
, 2G001FA16
, 2G001GA01
, 2G001GA10
, 2G001GA13
, 2G001JA07
, 2G001KA12
, 2G001LA02
, 2G001LA06
, 2G001NA03
, 2G001NA10
, 2G001NA17
, 2G001PA07
, 2G001PA12
, 2G001RA02
, 2G001RA10
, 2G088EE30
, 2G088FF20
, 2G088GG30
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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