放射線検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅村勁樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073575
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。【解決手段】図4左に示すように、基板(1)にp-型半導体を用い、n+層(3)のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではn-p-n接合となり、電流が流れない。また、図4中で示すように、n層をドーピングする前にp層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にp層を作成し、その上からn+層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。n+層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはp+層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝(6)を作成する。ここではpのドーピングを行っていない例を示している。分離溝(6)の形成はカッター切り込みによることも可能である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

II-VI族半導体を用いる放射線検出器において、II-VI族半導体の片面に各検出素子ごとに形成されたドーピング層と、前記検出素子間を電気的に分離する検出素子用としてのドーピング層とは逆の導電性を有する半導体部分を設け、前記ドーピング層に信号電極を設け、反対面に共通電極を設けてなる放射線検出器。

IPC (3件)：

H01L 27/14 , G01T 1/24 , H01L 31/09

FI (3件)：

H01L27/14 K , G01T1/24 , H01L31/00 A

Fターム (22件)：

2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ37 , 4M118AB01 , 4M118BA03 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118CB01 , 4M118CB14 , 4M118FA25 , 4M118FA27 , 5F088AA02 , 5F088AA03 , 5F088AB09 , 5F088BA20 , 5F088BB10 , 5F088EA04 , 5F088EA13 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭63-29971号公報
放射線検出器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-219860 出願人：静岡大学長

審査官引用 (5件)

放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-013308 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-217363
特開平4-217363

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