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J-GLOBAL ID：200902123223623545   整理番号：99A1040633

大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第1報) 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作

High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Thin Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition. (1st Report). Design and Production of the Atmospheric Pressure Plasma CVD Apparatus with Rotary Electrode.

著者 (7件)： 森勇蔵 (大阪大 大学院) ,  芳井熊安 (大阪大 大学院) ,  安武潔 (大阪大 大学院) ,  垣内弘章 (大阪大 大学院) ,  木山精一 (三洋電機) ,  樽井久樹 (三洋電機) ,  堂本洋一 (三洋電機)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 65  号： 11  ページ： 1600-1604  発行年： 1999年11月05日 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気圧・高周波プラズマを高速回転する電極と基板間に発生させて...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

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分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• MORI, Y. Atmospheric Pressure Plasma chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate. 1996 The Japan-China Bilateral Symp on Advanced Manufacturing Engineering. 1996, 84
• KAWABE, H. Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure. Proc. 7th Int. Prec. Eng. Seminar. 1993, 554
• ODA, S. Diagnostic Study of VHF Plasma and Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films. Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, 10, 1889
• OTOBE, M. Preparation of Microcrystalline Silicon Films by Very-High Frequency Digital Chemical Vapor Deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 6B, 1948

タイトルに関連する用語 (9件)： 大気圧プラズマ ,  CVD法 ,  アモルファスSi ,  高速成膜 ,  研究 ,  回転電極 ,  CVD装置 ,  設計 ,  試作