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J-GLOBAL ID：201002204461888787   整理番号：10A0364607

ゾル-ゲル法を使った(Ba_x,Sr_1-x)Ta₂O₆薄膜の電気的性質

Electrical Properties of (Ba_x,Sr_1-x)Ta₂O₆ Thin Films Using Sol-Gel Method

著者 (6件)： LU Li (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  ECHIZEN Masahiro (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  NISHIDA Takashi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  UCHIYAMA Kiyoshi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 35  号： 1  ページ： 177-180  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電定数,低漏れ電流,優れた熱安定性からSrTa₂O₆(STA)が,最近大きな注目を引いている。本研究は,組成を厳密に制御するためにゾル-ゲル法を採用し,また,Si基板を用いた場合のSiの拡散問題を回避し,電気的性質に及ぼす膜/基板界面の影響を最少にするために,Pt/TiO_x/SiO_x/Si(100)基板を用いることにより,STAのSrの一部をBaで置換した(Ba_x,Sr_1-x)Ta₂O₆薄膜(x=0,0.5,1)を基板上にスピンコーティング法により作製,800°Cでアニールし結晶化させた。その結晶構造,表面形態,膜厚,漏れ電流およびキャパシタンスを測定し,次の結果を得た。1)(Ba_0.5,Sr_0.5)Ta₂O₆薄膜は,SrTa₂O₆薄膜に近い約130の高誘電定数を示す。2)SrTa₂O₆薄膜は,500kV/cmでの漏れ電流密度は非常に小さく,約10^-8A/cm²である。3)キャパシタンスは,低電圧キャパシタンス係数26ppm/V²および低静電容量の温度係数-230ppm/°Cを示す。4)優れた電圧および温度安定性を示す。

シソーラス用語： *タンタル酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ゾル-ゲル法 ,  基板 ,  スピンコーティング ,  *薄膜 ,  セラミック膜 ,  *電気的性質 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  誘電率 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  静電容量 ,  温度係数
準シソーラス用語： BSTA ,  STA【セラミック】 ,  アニール ,  キャパシタンス ,  誘電定数

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (19件)：

• A. I. Kingon, J. P. Maria and S. K. Streiffer, Nature 406, 1032(2000)
• S. Regnery, R. Thomas, P. Ehrhart and R. Waser, J. Appl. Phys. 97, 073521(2005)
• P. Gonon and C. Vallee, Appl. Phys. Lett. 90, 142906(2007)
• M. Silinskas, M. Lisker, B. Kalkofen and E. P. Burte, Materials Science in Semiconductor Processing 9, 1102(2006)
• V. Ya. Kunin, Yu. K. Tarnopol’skii and N. A. Shturbina, Soviet Physics Journal 32, 556(1989)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾル-ゲル法 ,  BAX ,  薄膜 ,  電気的性質