熱サイクルアニールを適用したSOS (Si-on-Sapphire)基板上GaAsエピタキシャル結晶成長層の品質改善

門岩薫; 佐々木肇; 寺井慶和; 藤原康文

文献

J-GLOBAL ID：201102254647438506 整理番号：11A1861099

熱サイクルアニールを適用したSOS (Si-on-Sapphire)基板上GaAsエピタキシャル結晶成長層の品質改善

Improvement of Crystalline Quality in GaAs Layer Grown on Thermal Cyclic Annealed SOS

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 60 号： 11 ページ： 998-1003 (J-STAGE) 発行年： 2011年
JST資料番号： F0385A ISSN： 0514-5163 CODEN： ZARYA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

サファイアの面方位をR面(1-102)面から45°傾けたSi[0-11]方向に1.5°のオフセット角を付けて僅かに傾斜させたサファイア基板上にSi薄膜を形成したSOS基板を作成した。このSOS基板上に成膜-熱サイクルアニール後にGaAsバッファ層を成長させた上にIn_0.2Ga_0.8As/GaAsの5層の歪超格子層を導入し,この上にGaAs層を成長させた試料を作製し,その特性を調べた。その結果,TCAを施したGaAs-on-SOSは従来のGaAs-on-SOSに比べ広い範囲の面方位で鏡面領域が得られる上,穴状表面欠陥が殆ど見られず,表面性状が著しく改善されることが判明した。

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半導体の結晶成長 , 半導体薄膜

引用文献 (15件)：

1) T. Yao, Y. Okada, H. Kawanami, S. Matsui, A. Imagawa and K. Ishida, “Residual Stress in GaAs Layer Grown on 4°-Off (100)Si by MBE”, Materials Research Society Sympodium Porceedings, Vol.91, pp.63-66 (1987).
2) M. Manasevit and W. I. Simpson, “The use of metalorganics in the preparation of semiconductor materials”, Journal of Electrochemical Society, Vol.116, No.12, pp.1725-1732 (1969).
3) A. Sugimura, T. Hosoi, K. Ishibitsu and K. Kawamura, “Heteroepitaxial growth of GaAs on sapphire substrates by a three-step method using low pressure MOCVD”, Journal of Crystal Growth, Vol.77, pp.524-529 (1986).
4) K. Kasai, K. Nakai and M. Ozeki, “Material and device properties of GaAs on sapphire grown by metalorganic chemical vapor deposition”, Journal of Applied Physics, Vol.60, pp.1-5 (1986).
5) T. P. Humphreys, C. J. Miner, J. B. Posthill, K. Das, M. K. Summerville, R. J. Nrmanich, C. A. Sukow and N. R. Parikh, “Heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on silicon-on-sapphire and sapphire substrates”, Applied Physics Letters, Vol.54, p.1687 (1989).

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