スルーホールを有する電気めっき銅サブマウント上にSi(111)基板から転写した縦型InGaN多重量子井戸発光ダイオード構造

LUO Ruihong; RAO Wentao; CHEN Tufu; XIANG Peng; LIU Minggang; YANG Weimin; WANG Yunqian; YANG Yibin; WU Zhisheng; LIU Yang; JIANG Hao; ZHANG Baijun

文献

J-GLOBAL ID：201202261546303930 整理番号：12A0248608

スルーホールを有する電気めっき銅サブマウント上にSi(111)基板から転写した縦型InGaN多重量子井戸発光ダイオード構造

Vertical InGaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes Structures Transferred from Si(111) Substrate onto Electroplating Copper Submount with Through-Holes

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資料名：
巻： 51 号： 1,Issue 1 ページ： 012101.1-012101.4 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

スルーホールを有する縦型InGaN多重量子井戸構造の発光ダイオード(LED)を,Si(111)基板から電気めっき銅サブマウント上に転写するのに成功した。AlNバッファ層によって生じた付加直列抵抗とほかの中間層を,金属で満たされたスルーホールによって短絡した。スルーホール構造を有するこのLEDでは,縦型伝導の動作電圧は低く,直列抵抗は小さかった。基板除去と銅電気めっき法を組合わせたとき,350mAでの動作電圧とLEDの直列抵抗は,基板を除去する前のスルーホール構造のLEDと比較して,5.6Vから5.1V,7Ωから4Ωに低下した。同時に,光出力強度は,75%にまで改善したが,その光強度は,光吸収基板の除去,並びに,金属反射体を有する高熱伝導性の銅サブマウントへの置き換えの両方に主に起因していた。(翻訳著者抄録)

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発光素子

引用文献 (22件)：

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