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J-GLOBAL ID：201602250346491380   整理番号：16A0942554

Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果

著者 (6件)： 加藤まどか (東京都市大) ,  村上太陽 (山梨大) ,  有元圭介 (山梨大) ,  山中淳二 (山梨大) ,  中川清和 (山梨大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16a-D61-5  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *半導体材料 ,  *緩和現象 ,  イオン注入 ,  素子構造 ,  Raman分光法 ,  スペクトルシフト ,  熱処理 ,  半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  Ramanシフト ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  *SiGe ,  *歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  SiGe ,  歪み緩和 ,  イオン注入