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J-GLOBAL ID：201702218387697928   整理番号：17A0462050

(100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO₃膜の相転移温度および正方晶系変形に及ぼす面内引張り歪の影響

Effect of in-plane tensile strain in (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO₃ films on their phase transition temperature and tetragonal distortion

著者 (7件)： Nakashima Takaaki (Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Ichinose Daichi (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Ehara Yoshitaka (Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan) ,  Shimizu Takao (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Kobayashi Takeshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8564, Japan) ,  Yamada Tomoaki (Department of Materials, Physics and Energy Engineering, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8502, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 12  ページ： 122902-122902-4  発行年： 2017年03月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 結晶方位 ,  *薄膜 ,  *チタン酸鉛 ,  *転移温度 ,  正方晶系 ,  *引張変形 ,  歪 ,  MOCVD ,  温度 ,  結晶構造 ,  誘電性 ,  強誘電性 ,  Curie温度
準シソーラス用語： 結晶配向 ,  *エピタキシャル膜 ,  *相転移温度 ,  引張歪 ,  有機金属化学気相成長法 ,  成長温度 ,  常誘電性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  エピタキシャル ,  相転移温度 ,  正方晶系 ,  引張り歪