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J-GLOBAL ID：201702238077497905   整理番号：17A0605012

300°Cプロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発

Self-Aligned Four-Terminal Cu-MIC Poly-Ge TFTs Fabricated at 300°C on Glass Substrate

著者 (5件)： 内海大樹 (東北学院大 工) ,  佐々木大精 (東北学院大 工) ,  関口竣也 (東北学院大 工) ,  竹内翔弥 (東北学院大 工) ,  原明人 (東北学院大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 7(SDM2017 1-8)  ページ： 1-4  発行年： 2017年04月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている。これを実現するためにはプラスチック基板上に電子回路やセンサを実現していく必要がある。我々は,銅(Cu)による金属誘起固相成長(MIC)を利用することによって,300°Cプロセスでガラス基板上に自己整合4端子Cu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタを作成し,ダブルゲート動作および4端子動作を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ゲルマニウム ,  多結晶 ,  *結晶化 ,  固相成長 ,  銅 ,  半導体プロセス ,  *金属誘起結晶化 ,  低温プロセス
準シソーラス用語： *Ge ,  *TFT【トランジスタ】 ,  *ダブルゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (6件)：

• 内海大樹 その他:第64回応用物理学春季学術講演会14a-304-8(2017).
• B. Hekmatshoar et al., Appl. Phys. Lett. 85, 1054 (2004).
• T. Sadoh et al. Electrochem. Solid-State Lett. 14, H274 (2011).
• M. Uemura et al., Proc. of AMFPD 2012, p.227.
• A. Hara et al., Jpn. J. Appl. Phys. 56, 03BB01 (2017).

タイトルに関連する用語 (7件)： プロセス ,  自己整合 ,  Cu ,  MIC ,  Ge ,  TFT ,  開発