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J-GLOBAL ID：201102280102147165   整理番号：11A1063447

絶縁体上の非晶質Geの低温(~250°C)での銅誘起横方向結晶化

Low-Temperature (~250°C) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator

著者 (7件)： SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (JSPS, Tokyo, JPN) ,  HAGIHARA Takashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOKO Kaoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOKO Kaoru (JSPS, Tokyo, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 7  ページ： H274-H276  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂フィルムで被覆したSi基板上に,分子ビーム法によって厚さ100nmのGeフィルムを形成した。次に電子ビーム蒸着によりGeフィルム上にCuフィルムパターンを形成し,最後に窒素雰囲気下で250-400°Cでアニーリングを行った。蒸着にNi,Co,Pdを使用した場合と比較して,銅を使用した場合には,銅の触媒作用によりGeフィルム中のポリGeの結晶化とそれに続く結晶成長が最も顕著に起こることが分った。この系のTFT(薄膜トランジスタ)への適用も論じる。

シソーラス用語： *非晶質 ,  熱酸化 ,  絶縁材料 ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  *銅 ,  金属薄膜 ,  分子ビーム ,  *結晶化 ,  *結晶成長 ,  焼なまし ,  薄膜トランジスタ ,  触媒活性 ,  電子ビーム蒸着 ,  光学顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  温度依存性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  晶析速度 ,  誘導 ,  二酸化ケイ素 ,  絶縁体 ,  金属誘起結晶化
準シソーラス用語： シリカ

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 絶縁体 ,  非晶質 ,  Ge ,  低温 ,  銅 ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化