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J-GLOBAL ID：201702242746578180   整理番号：17A0548288

MBEにより成長したIV-VI族希薄磁性半導体(Sn,Mn)Teの構造解析と磁化特性

Structural analysis and magnetic properties of IV-VI diluted magnetic semiconductor (Sn,Mn)Te grown by MBE

著者 (5件)： ISHIKAWA Ryo (Univ. Tsukuba) ,  NAKAMURA Kohichiro (Univ. Tsukuba) ,  AKIYAMA Ryota (Univ. Tokyo) ,  NITANI Hiroaki (High Energy Accelerator Res. Organization) ,  KURODA Shinji (Univ. Tsukuba)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-P10-13  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *化合物半導体 ,  *スズ化合物 ,  *テルル化物 ,  *マンガン化合物 ,  構造解析 ,  磁化特性 ,  絶縁体 ,  キャリア密度 ,  EXAFS ,  XAFS ,  常磁性 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  動径分布関数 ,  岩塩型結晶 ,  シミュレーション ,  X線回折 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *IV-VI族半導体 ,  *テルル化スズ ,  キャリア濃度 ,  拡張X線吸収微細構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE ,  成長 ,  希薄磁性半導体 ,  Sn ,  Mn ,  Te ,  構造解析 ,  磁化特性