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J-GLOBAL ID：201702270380639848   整理番号：17A0547475

β-Ga₂O₃(100)上に成長したβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜のバンドギャップ評価

著者 (13件)： 服部真依 (東京工大) ,  若林諒 (東京工大) ,  佐々木公平 (タムラ製作所) ,  増井建和 (タムラ製作所) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所) ,  堀場弘司 (高エネルギー加速器研究機構) ,  堀場弘司 (元素戦略) ,  組頭広志 (高エネルギー加速器研究機構) ,  組頭広志 (元素戦略) ,  吉松公平 (東京工大) ,  大友明 (東京工大) ,  大友明 (元素戦略)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-502-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  基板 ,  アルミニウム化合物 ,  *薄膜 ,  バンドギャップ ,  ヘテロ接合

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： β-Ga2O3 ,  成長 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  評価