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J-GLOBAL ID：201702272778947671   整理番号：17A0470077

陰極界面からの水素移動によるゲート誘電体劣化の機構【Powered by NICT】

Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface

著者 (12件)： Higashi Yusuke (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Higashi Yusuke (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Takaishi Riichiro (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Kato Koichi (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Suzuki Masamichi (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Nakasaki Yasushi (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Tomita Mitsuhiro (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Mitani Yuichiro (Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Matsumoto Masuaki (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Ogura Shohei (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Fukutani Katsuyuki (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Yamabe Kikuo (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 70  ページ： 12-21  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2/Si系における水素移動を核反応分析により詳細に検討した。電気的信頼性測定はゲート誘電体のSiO_2/Si界面と動的劣化に対するカソード界面からの水素移動の間の相関を明らかにした。さらに,SiO_2のバルク中に発生した欠陥準位は酸素空格子点のそれに対応するエネルギー分布を,測定とシミュレートされた応力誘起漏れ電流を比較することにより明らかになった。最後に,水素誘起ゲート誘電体劣化のモデルを,第一原理計算に基づいて提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *水素移動 ,  欠陥準位 ,  *水素 ,  核反応分析 ,  エネルギー分布 ,  *界面 ,  *誘電体 ,  *ゲート絶縁膜 ,  第一原理計算 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： SILC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 核反応分析(NRA) ,  誘電体分解 ,  水素 ,  ストレス誘起漏れ電流(SILC) ,  第一原理計算

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陰極 ,  界面 ,  水素移動 ,  ゲート誘電体