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J-GLOBAL ID：201002292175161744   整理番号：10A1104221

SiO₂/4H-SiC界面構造と伝導帯オフセットの相関

著者 (11件)： 桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  CHANTHAPHAN Atthawut (大阪大 大学院) ,  池口大輔 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14P-ZS-6  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *熱酸化 ,  酸化膜 ,  *二酸化ケイ素 ,  表面構造 ,  *バンドオフセット ,  伝導バンド ,  *スパッタ蒸着 ,  *X線光電子スペクトル ,  価電子バンド ,  シンクロトロン放射 ,  バンドギャップ ,  MOS構造 ,  半導体素子 ,  表面準位 ,  界面構造 ,  化成皮膜 ,  構造
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  パワーデバイス

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  4H-SiC ,  界面構造 ,  伝導帯 ,  オフセット ,  相関