プラズマCVD法によるSi<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>薄導へのPドーピング

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J-GLOBAL ID：201202168097926110 整理番号：12A1425798

プラズマCVD法によるSi_1-yC_y薄導へのPドーピング

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 48th 号： 1 ページ： 460 発行年： 2001年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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