特許

J-GLOBAL ID：201303088149885970

シリコンの製造方法

発明者： 野平 俊之 ,  萩原 理加 ,  小林 克敏 ,  安田 幸司 ,  鳥羽 哲也 ,  山田 一夫 ,  一坪 幸輝 ,  増田 賢太
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学 ,  太平洋セメント株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074754
公開番号（公開出願番号）：特開2013-011012
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極3上に二酸化ケイ素4を載置させた状態で当該二酸化ケイ素4を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極上に二酸化ケイ素を載置させた状態で当該二酸化ケイ素を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C25B 1/00 ,  C01B 33/023

FI (2件)：

C25B1/00 Z ,  C01B33/023

Fターム (28件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB03 ,  4G072BB11 ,  4G072DD02 ,  4G072DD04 ,  4G072GG03 ,  4G072GG05 ,  4G072HH14 ,  4G072HH16 ,  4G072JJ28 ,  4G072MM26 ,  4G072MM28 ,  4G072QQ02 ,  4G072QQ03 ,  4G072QQ05 ,  4G072RR04 ,  4G072RR28 ,  4G072TT19 ,  4G072UU02 ,  4K021AA09 ,  4K021BA01 ,  4K021BA17 ,  4K021BB04 ,  4K021DA10 ,  4K021DA11 ,  4K021DA13 ,  4K021DC15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 金属酸化物の還元方法及び金属酸化物の還元装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-342013   出願人：日本軽金属株式会社
• シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-147139   出願人：国立大学法人京都大学
• 金属の電解製造及び精練方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-558531   出願人：エルケムアクシエセルスカプ
• 太陽電池用シリコンの製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-254809   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 太陽電池用シリコンの製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-254809   出願人：株式会社東芝
• シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-147139   出願人：国立大学法人京都大学