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J-GLOBAL ID:201402224187054297   整理番号:14A0804292

AlGaAs/AlAsタイプII量子井戸のΓ点正孔とX点電子の再結合発光

Recombination emission of the X-point electron and the Γ-point hole in the AlGaAs/AlAs type II quantum wells
著者 (5件):
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巻: 114  号: 46(LQE2014 1-16)  ページ: 61-64  発行年: 2014年05月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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AlGaAs/AlAs多重量子井戸を(001)面基板上と(001)面から(111)A面へ23.8°offした基板上に成長した。この系では,AlAs層にX点電子が閉じ込められ,AlGaAs層にΓ点正孔が閉じ込められると期待される。23.8°offした基板上の量子井戸は平坦で,強い発光を示した。AlGaAs層のAl組成依存性からホトルミネッセンス発光がAlGaAs中のΓ点正孔とAlAs中のX点電子の再結合発光によるものであることを明らかにした。また,AlAs層の薄膜化によって生じる量子効果をホトルミネッセンススペクトルから明らかにした。量子準位および波動関数の計算結果を比較することによりこの系の特徴を明らかにした。(著者抄録)
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分類 (1件):
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量子光学一般 

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