文献
J-GLOBAL ID:201402237849843402   整理番号:14A0877935

溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善-中間層挿入と熱処理-

Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition-Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing-
著者 (4件):
資料名:
巻: 114  号: 95(CPM2014 28-42)  ページ: 61-66  発行年: 2014年06月13日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
溶液成長(CBD)法によるn-ZnO/p-CuOヘテロ接合形成時にディップコーティング法ZnO(Dip-coating ZnO)層を挿入することでリーク電流が抑制された。n-ZnO/Dip-coating ZnO/p-CuOヘテロ接合のJ-V特性から求めた閾値電圧(Vth)と理想因子(n)及びC-V特性より求めた拡散電位(Vbi)はCuO層ポストアニーリング温度(TA)によって変化し,TA=250°C付近で最小であった。一方,IF/IR(IFは順方向電流,IRは逆方向電流)はTA=225°C以上で低いことから,Vth及びVbiの低下はヘテロ界面に形成された界面準位を介したトンネル電流によるものと考えられる。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  酸化物の結晶成長 
引用文献 (15件):

前のページに戻る