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J-GLOBAL ID：201402291919208135   整理番号：14A0370060

High-k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討

著者 (8件)： 田中亮平 (大阪大 大学院) ,  秀島伊織 (大阪大 大学院) ,  箕浦佑也 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-D8-1  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  *電極 ,  *熱処理 ,  MOSFET ,  ゲルマニウム ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *ゲート電極

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  ゲートスタック ,  界面特性 ,  ゲート電極 ,  熱処理条件