超音速O<sub>2</sub>ビームにより誘起されたGe(111)-c(2×8)の超薄表面酸化物のその場シンクロトロン放射光電子放出研究

OKADA Ryuta; OKADA Ryuta; YOSHIGOE Akitaka; TERAOKA Yuden; TERAOKA Yuden; YAMADA Yoichi; SASAKI Masahiro

文献

J-GLOBAL ID：201502255312266480 整理番号：15A0532945

超音速O₂ビームにより誘起されたGe(111)-c(2×8)の超薄表面酸化物のその場シンクロトロン放射光電子放出研究

In situ synchrotron radiation photoemission study of ultrathin surface oxides of Ge(111)-c(2×8) induced by supersonic O₂ beams

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資料名：
巻： 8 号： 2 ページ： 025701.1-025701.4 発行年： 2015年02月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

超音速酸素ビームを使った室温のGe(111)-c(2×8)表面上の表面酸化を,26meVから2.3eVまで入射酸素分子の並進エネルギーの関数として調べた。この酸化中行ったその場シンクロトロン光電子放出分光研究により,調べたすべてのビームエネルギーに対して,最大0.52MLの準単層の酸化物が形成されて表面酸化が停止することが明らかになった。また,表面酸化物の酸化状態は並進エネルギーに依存することが分った。これら結果から,Ge(111)-c(2×8)の超薄表面酸化物が正確に化学制御されることが実証された。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 半導体の表面構造

引用文献 (30件)：

International Technology Roadmap for Semiconductors (2011 update) (Semiconductor Industry Association, 2011).
Y. Kamata, Mater. Today 11 [1-2], 30 (2008).
A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, T. Conard, S. V. Elshocht, M. Caymax, M. Heyns, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett. 91, 082904 (2007).
A. Toriumi, T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, and K. Nagashio, Microelectron. Eng. 86, 1571 (2009).
Y. Fukuda, T. Ueno, S. Hirono, and S. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 6981 (2005).

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超音速O2ビームにより誘起されたGe(111)-c(2×8)の超薄表面酸化物のその場シンクロトロン放射光電子放出研究

超音速O₂ビームにより誘起されたGe(111)-c(2×8)の超薄表面酸化物のその場シンクロトロン放射光電子放出研究