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J-GLOBAL ID：201502255550679652   整理番号：15A0508690

ドライエッチングがAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のMOS界面特性に与える影響

著者 (6件)： 谷田部然治 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (JST-CREST) ,  大平城二 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13P-P17-16  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ドライエッチング ,  窒化ガリウム ,  酸化アルミニウム ,  *MOS構造 ,  *容量電圧特性 ,  界面 ,  特性
準シソーラス用語： 界面特性

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドライエッチング ,  Al2O3 ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  界面特性