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J-GLOBAL ID：201602210187362395   整理番号：16A0284114

低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

著者 (13件)： 山田高寛 (大阪大 大学院) ,  伊藤丈予 (大阪大 大学院) ,  淺原亮平 (大阪大 大学院) ,  渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  中澤敏志 (パナソニック) ,  按田義治 (パナソニック) ,  石田昌宏 (パナソニック) ,  上田哲三 (パナソニック) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-W541-4  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *欠陥密度 ,  *窒化ガリウム ,  熱酸化 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  *半導体素子 ,  *構造
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  *パワーデバイス

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥密度 ,  GaN ,  熱酸化 ,  過程 ,  評価