単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi<sub>2</sub>積層構造の作製

原康祐; TRINH Cham Thi; 黒川康良; 有元圭介; 山中淳二; 中川清和; 宇佐美徳隆

文献

J-GLOBAL ID：201602210939831281 整理番号：16A0931124

単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi₂積層構造の作製

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巻： 77th ページ： ROMBUNNO.15a-B3-8 発行年： 2016年09月01日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製

単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi₂積層構造の作製