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J-GLOBAL ID:201602269861943424   整理番号:16A0942683

熱酸化処理によるSiO2/GaN界面でのGaOx形成とMOS界面特性向上

著者 (7件):
資料名:
巻: 77th  ページ: ROMBUNNO.16p-B1-5  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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