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J-GLOBAL ID：201602269861943424   整理番号：16A0942683

熱酸化処理によるSiO₂/GaN界面でのGaO_x形成とMOS界面特性向上

著者 (7件)： 山田高寛 (大阪大 大学院) ,  渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力発電技術機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-B1-5  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱酸化 ,  二酸化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *界面 ,  特性 ,  酸化ガリウム ,  表面準位 ,  MOS構造 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： GaN ,  パワーデバイス ,  界面準位 ,  界面特性

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱酸化 ,  SiO2 ,  GaN ,  界面 ,  MOS ,  界面特性