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J-GLOBAL ID：201602275615190811   整理番号：16A0726561

hBNでカプセル化したグラフェンへの一軸性局所歪の導入【Powered by NICT】

Introducing uniaxial local strain to graphene encapsulated with hBN

著者 (6件)： Tomori Hikari (University of Tsukuba, Japan) ,  Hiraide Rineka (University of Tsukuba, Japan) ,  Ootuka Youiti (University of Tsukuba, Japan) ,  Watanabe Kenji (National Institute for Materials Science (NIMS), Japan) ,  Taniguchi Takashi (National Institute for Materials Science (NIMS), Japan) ,  Kanda Akinobu (University of Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪工学は,グラフェン中の電子輸送を制御するための有望な方法である。我々の以前の実験結果から,格子歪によるギャップ形成の観察は,電荷キャリアの歪と長い平均自由行程の大きな空間的変動を必要とすることを見出した。以上の要求を満たすために,グラフェンへの格子歪を導入するための新しい方法を開発した。この方法では,反応性イオンエッチングにより形成された孔を有するhBN膜上のグラフェンを一時中断した。次に,グラフェンへの格子歪の導入のためのhBN極によるグラフェンの懸濁部分をプッシュした。顕微Raman分光法から,hBN膜の形状に依存して格子歪の空間的変動を確認した。また,輸送特性の変調を測定した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 平均自由行程 ,  *グラフェン ,  格子歪 ,  RIE【エッチング】 ,  *一軸 ,  顕微Raman分光法
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  電荷キャリア ,  電子輸送 ,  *局所歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  信号理論  (ND02020G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： カプセル化 ,  グラフェン ,  一軸性 ,  局所歪