特許
J-GLOBAL ID：201603000379442243

窒化物半導体層の成膜方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
醍醐 佳明

醍醐 佳明 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (5件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三村 治彦 ,  久保田 智樹 ,  岡部 洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-548510
特許番号：特許第6001194号
出願日： 2015年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、AlN又はAlGaNよりなるバッファー層をエピタキシャル成長する工程と、 前記バッファー層上に、GaとGaNとを含む金属窒化物ターゲットを用い、窒素を含む反応性ガスの流量をプロセスガス全体の流量の10%未満として、スパッタリング法により、少なくともGaNを含む窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程と を有することを特徴とする窒化物半導体層の成膜方法。
IPC (6件)：
H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/06 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 R ,  C30B 29/38 D ,  C30B 25/06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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