特許
J-GLOBAL ID：200903019532969261

III族ナイトライド化合物半導体薄膜およびその形成方法、並びに半導体素子およびその製造方法

発明者：
三田村 聡

三田村 聡 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205216
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035805
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 任意の基板上に形成することが可能なIII族ナイトライド化合物半導体薄膜およびその形成方法、並びに半導体素子およびその製造方法を提供する。また、膜質が均一であり、高い結晶性を有するIII族ナイトライド化合物半導体薄膜およびその形成方法、並びに半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 窒素を10モル%以上含むガスのプラズマ雰囲気中において、III族ナイトライド化合物ターゲットを用いて15〜200nm/hourの速度でスパッタを行うことにより、基板上に多結晶III族ナイトライド化合物薄膜を形成する。そののち、基板14上に形成された多結晶III族ナイトライド化合物半導体薄膜18に対して、酸素の含有比が2モル%以下のガス雰囲気中において、200mJ/cm2 程度のエネルギー密度でエキシマパルスレーザLを照射し、薄膜中に存在する結晶粒界,転位およびその他の格子欠陥を除去する。
請求項（抜粋）：
III族元素のうちの少なくとも1種と窒素(N)とを含むIII族ナイトライド化合物半導体薄膜を形成する方法であって、少なくとも窒素を含むガスのプラズマ雰囲気中において、III族ナイトライド化合物よりなるターゲットを用いてスパッタを行うことにより、基板上に多結晶III族ナイトライド化合物半導体薄膜を形成することを特徴とするIII族ナイトライド化合物半導体薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (6件)：
H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (64件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA04 ,  5F052DB07 ,  5F052JA08 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA17 ,  5F073EA29 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD02 ,  5F103GG01 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103KK01 ,  5F103KK03 ,  5F103LL02 ,  5F103PP20
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM