特許

J-GLOBAL ID：201603001979198806

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 東雲 秀司 ,  森嶋 雅人 ,  大内 健次 ,  加藤 大輝 ,  渡部 平司 ,  志村 考功 ,  細井 卓治
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (2件)： 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-136918
公開番号（公開出願番号）：特開2016-015407
出願日： 2014年07月02日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：

【課題】チャネルの移動度を十分に改善することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ウエハWにおける炭化硅素基部11の表層を、四フッ化硅素ガスからプラズマによって解離したフッ素を含むハロゲン雰囲気に暴露し、該暴露された表層の上にゲート絶縁膜15を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化硅素からなる基板の表層をハロゲン雰囲気に暴露し、該暴露された表層の上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B

Fターム (22件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140BA02 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE10