グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：池田憲保 , 佐々木敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-541920
特許番号：特許第5967486号
出願日： 2011年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)金属層を炭化物層に接触させ、前記金属層および前記炭化物層を加熱することで前記金属層中に前記炭化物層中の炭素を溶解させ、 (b)前記金属層および前記炭化物層を冷却することで前記金属層中の前記炭素を前記炭化物層の表面にグラフェンとして析出させる、グラフェン基板の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ( 200 6.01) , H01L 21/208 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 51/05 ( 200 6.01) , H01L 51/30 ( 200 6.01) , H01L 51/40 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C01B 31/02 101 Z , H01L 21/208 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 100 A , H01L 29/28 250 E , H01L 29/28 310 E

引用特許：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

引用文献：

出願人引用 (1件)

審査官引用 (1件)

前のページに戻る