特許
J-GLOBAL ID：201603013119465163

コンタクトホールパターンの形成方法

発明者：
先崎 尊博

先崎 尊博 について

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宮城 賢

宮城 賢 について

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藤川 茂紀

藤川 茂紀 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について

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国立研究開発法人理化学研究所

国立研究開発法人理化学研究所 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026000
公開番号（公開出願番号）：特開2013-164436
特許番号：特許第5979660号
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ホールパターンが形成された薄膜を表面に有する基板に対して、前記薄膜を被覆するように、複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を形成するブロックコポリマー層形成工程と、 前記ブロックコポリマー層形成工程後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる相分離工程と、 前記相分離工程後、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する選択的除去工程と、 を有し、 前記薄膜が、感光性又は非感光性の有機膜又は無機膜であり、 前記薄膜に形成されているホールパターンのホール径が、前記ブロックコポリマーの周期の0.8〜2.12倍であり、 前記ブロックコポリマー層形成工程において、前記薄膜の上面から前記ブロックコポリマーを含む層の表面までの厚みを、前記薄膜の膜厚の60%以下にすることを特徴とする、コンタクトホールパターンの形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  C08J 7/00 ( 200 6.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 570 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/00 CET ,  C08J 7/00 CEY ,  B82Y 40/00 ,  H01L 21/302 105 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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