特許
J-GLOBAL ID：201103017655757671

ナノスケール構造及びその製造方法

発明者：
ブラック、チャールズ、ティー

ブラック、チャールズ、ティー について

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ダルトン、ティモシー、ジェイ

ダルトン、ティモシー、ジェイ について

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ドリス、ブルース、ビー

ドリス、ブルース、ビー について

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ラデンズ、カール

ラデンズ、カール について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-545264
公開番号（公開出願番号）：特表2011-522707
出願日： 2009年02月03日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】 外部構造によって生成される自己集合ブロック共重合体のオーダー範囲を超える面積にわたって延在する隣接ナノスケール自己集合自己整合構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 一実施形態では、大きい面積を包含する六角形タイルが3つのグループに分けられ、各グループは、互いに分離されるすべての六角形タイルの1/3ずつを収容する。各グループ内の六角形タイルの開口(O1、O2、O3)がテンプレート層(20A、20B、20C)に形成され、1組の自己集合ブロック共重合体が各開口内に塗布されパターン化される。このプロセスを3回繰り返して3つのすべてのグループを包含することにより、広い面積にわたって延在する自己整合パターンが得られる。別の実施形態では、上記の大きい面積は、互いに重複しない2つの相補グループの矩形タイルに分割される。各矩形エリアの幅は、自己集合ブロック共重合体のオーダー範囲未満となる。自己集合自己整合ライン・アンド・スペース構造(40A、50A;40B、50B;40C、50C)が各グループ内に順次形成され、その結果、オーダー範囲を超えて延在する大きい面積にわたるライン・アンド・スペース・パターンが形成される。 【選択図】 図1A
請求項（抜粋）：
ナノスケール・パターンを基板上に形成する方法であって、 基板上の所定の面積を包含する第1のテンプレート層を形成するステップと、 それぞれ正六角形の形状を有し、第1の六角形配列の形に配置される第1の開口を前記第1のテンプレート層内にパターン化するステップと、 第1のナノスケール自己集合自己整合構造を前記第1の開口内に形成するステップと、 前記面積を包含する第2のテンプレート層を前記第1のナノスケール自己集合自己整合構造上に形成するステップと、 それぞれ前記正六角形の形状を有し、第2の六角形配列の形に配置される第2の開口を前記第2のテンプレート層内にパターン化するステップと、 第2のナノスケール自己集合自己整合構造を前記第2の開口内に形成するステップと、 前記面積を包含する第3のテンプレート層を前記第1及び第2のナノスケール自己集合自己整合構造上に形成するステップと、 それぞれ前記正六角形の形状を有し、第3の六角形配列の形に配置される第3の開口を前記第3のテンプレート層内にパターン化するステップと、 第3のナノスケール自己集合自己整合構造を前記第3の開口内に形成するステップと、 を含む方法。
IPC (2件)：
B82B 3/00 ,  B82B 1/00
FI (2件)：
B82B3/00 ,  B82B1/00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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