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J-GLOBAL ID：201702212473249236   整理番号：17A0549329

4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性

著者 (11件)： 阿部裕太 (筑波大) ,  岡本光央 (産業技術総合研) ,  小野田忍 (量研機構) ,  大島武 (量研機構) ,  春山盛善 (量研機構) ,  春山盛善 (群大 理工) ,  加田渉 (群大 理工) ,  花泉修 (群大 理工) ,  小杉亮治 (産業技術総合研) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  梅田享英 (筑波大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-F204-16  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *光子 ,  *光ルミネセンス ,  *偏光角 ,  蛍光顕微鏡
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  単一光子

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  偏光測定と偏光計  (BD07050K) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  MOSFET ,  チャネル ,  単一光子源 ,  偏光 ,  角度依存性