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J-GLOBAL ID：201702257883685709   整理番号：17A0685874

有機金属気成長法で成長させたSi基板上の完全垂直型GaN p-nダイード

Novel fully vertical GaN p-n diode on Si substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (5件)： MASE Suguru (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  URAYAMA Yuya (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HAMADA Takeaki (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  FREEDSMAN Joseph J. (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 11  ページ： 111005.1-111005.4  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースのトランジスター及びダイオードは,大きなバンドギャップエネルギー,高臨界電界及び良好な熱伝導率等の優れた特性を得るため,高出力及び高速スイッチング用途のために有望な候補である。本研究では,オーミック接合がp-GaNとn⁺型Si基板上に直接形成された,真性GaN-on-Si完全垂直p-nダイードの成長と特性評価を初めて実証した。垂直輸送は薄いAlN層によって実現され,高導電性バッファ層はn⁺型Si上に成長された。作ったGaN pnダイードは,厚いSLS層を用に成長させた高品質のn^-GaNドット層のために,7.4mΩ・cm^-2のオン抵抗と288Vの耐圧で良好な性能を示した。p-nダイオードは,基板除去技術を伴わない真のGaN-on-Si p-nダイオードを考慮して,良好なバリガのFOM値11.2MW/cm²を示した。GaN on-Si垂直ダイードのこれの結果は,将来のパワーデバイス応用の現実に有望な特徴を示唆した。

シソーラス用語： *MOCVD ,  *ウエハ【IC】 ,  窒化ガリウム ,  *PN接合 ,  鉛直輸送 ,  *オン抵抗 ,  *絶縁耐力 ,  半導体素子
準シソーラス用語： 有機金属気相成長法 ,  Si基板 ,  パワーデバイス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (22件)：

• T. Egawa, IEDM Tech. Dig., 2012, p.849.
• D. Marti, L. Lugani, J.-F. Carlin, M. Malinvemi, N. Grandjean, and C. R. Bolognesi, IEEE Electron Device Lett. 37, 1025 (2016).
• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida, Proc. IEEE 98, 1151 (2010).
• M. Ishida, Y. Uemoto, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, Int. Power Electronics Conf., 2010, p.1014.
• J. J. Freedsman, T. Egawa, Y. Yamaoka, Y. Yam, A. Ubukata, T. Tabuchi, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Express 7, 041003 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属 ,  気 ,  成長 ,  Si基板 ,  垂直型 ,  GaN