文献

J-GLOBAL ID：201402254982530095   整理番号：14A0590643

低漏洩電流と高破壊電圧(825V)の8インチSi上の通常時オフ Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMT

Normally-OFF Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMT on 8 in. Si with Low Leakage Current and High Breakdown Voltage (825V)

著者 (7件)： FREEDSMAN Joseph J. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMAOKA Yuya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  YANO Yoshiki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  UBUKATA Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  TABUCHI Toshiya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO Koh (Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 4  ページ： 041003.1-041003.3  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 8インチのSi上の通常時オフ金属-酸化物-半導体高-電子-移動度トランジスタ(MOS-HEMT)凹-ゲートAl₂O₃/AlGaN/GaNを報告した。MOS-HEMTは,+2.4 Vの高い閾値電圧で最大ドレーン300mA/mmを示した。全く低い閾値下の漏洩電流(~10^-8mA/mm)は74mV/decの小さい,安定した閾値下傾斜で,優れたON/OFF電流比率(9×10⁸)を与えた。有意なドレーン電流分散を観察しなかったので原子層堆積Al₂O₃層は効果的に不動態化した。0Vのゲートバイアスで,20μmのドレーンからゲート距離のデバイスで825Vの高いオフ-状態絶縁破壊電圧を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  *MOS構造 ,  *HEMT ,  閾値 ,  不動態

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• T. Egawa, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 613.
• J. J. Freedsman, T. Kubo, and T. Egawa, Appl. Phys. Lett. 101, 013506 (2012).
• Z. Tang, Q. Jiang, Y. Lu, S. Huang, S. Yang, X. Tang, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 34, 1373 (2013).
• W. Chen, K.-Y. Wong, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 30, 430 (2009).
• Q. Jiang, C. Liu, Y. Lu, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 34, 357 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： 漏洩電流 ,  破壊電圧 ,  Si ,  オフ ,  Al2O3 ,  AlGaN ,  GaN