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J-GLOBAL ID：201702259015384942   整理番号：17A0511298

パルスレーザ堆積を用いて(11-20)サファイア基板にエピタキシャル成長したc軸配向Al取込ZnO膜のガス検出特性

Gas sensing properties of c-axis-oriented Al-incorporated ZnO films epitaxially grown on (11-20) sapphire substrates using pulsed laser deposition

著者 (5件)： ADACHI Yutaka (Optoelectronic Materials Group, Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS)) ,  WATANABE Ken (Optoelectronic Materials Group, Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS)) ,  SAITO Noriko (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS) ,  SAKAGUCHI Isao (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS) ,  SUZUKI Taku T. (Ceramics Chemistry Group, Optical and Electronic Materials Unit, NIMS)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 124  号： 6  ページ： 668-672(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パリスレーザ堆積を用い,(11-20)サファイア基板に種々のAl濃度のAl取込ZnO膜を作製し,ガス検出特性を評価した。同じ厚みのc軸配向エピタキシャル膜を用い,検出特性に及ぼす表面対堆積比および表面原子配列の影響を抑制して,ZnOガスセンサの向上におけるAlドーピングの役割を明確にした。エタノールガス検出測定の結果,AlドーピングによりZnOガスセンサの検出応答および応答時間が著しく向上することが分かった。Al関連不純物相および/またはAlドーピングにより誘起した非平衡欠陥の形成により検出性能が向上した。一方,粒サイズの変化は検出応答に影響を及ぼさなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガス検出器 ,  ガスセンサ ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  濃度依存性 ,  *薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  基板 ,  結晶方位 ,  *応答特性 ,  応答時間 ,  検出限界 ,  偏析 ,  X線回折分析 ,  顕微鏡観察 ,  Hall移動度 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  エピタキシャル成長 ,  サファイア基板 ,  結晶配向 ,  原子間力顕微鏡法 ,  回復時間

著者キーワード (4件)： Zinc oxide ,  Aluminum doping ,  Segregation ,  Non-equilibrium compensated defects

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

物質索引 (1件)： エタノール

引用文献 (29件)：

• 1) I. D. Kim, A. Rothschild and H. L. Tuller, Acta Mater., 61, 974–1000 (2013).
• 2) G. Korotcenkov, Mater. Sci. Eng., B, 139, 1–23 (2007).
• 3) C. Klingshirn, ChemPhysChem, 8, 782–803 (2007).
• 4) T. Minami, Y. Nishi, T. Miyata and J. Nomoto, Appl. Phys. Express, 4, 062301 (2011).
• 5) U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho and H. Morkoc, J. Appl. Phys., 98, 041301 (2005).

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ堆積 ,  サファイア基板 ,  エピタキシャル成長 ,  c軸配向 ,  Al ,  取込 ,  ZnO