文献

J-GLOBAL ID：201702270870614759   整理番号：17A0741433

Ar/C₄F₆/O₂容量結合プラズマに対してパルス化三重周波数を用いたSiO₂のエッチング特性

Etch Characteristics of SiO₂ Using Pulsed Triple-Frequency for Ar/C₄F₆/O₂ Capacitive Coupled Plasmas

著者 (6件)： JEON M. H. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK J. W. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM T. H. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  YUN D. H. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM K. N. (Daejeon Univ., Daejeon, KOR) ,  YEOM G. Y. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 11  ページ： 11831-11838  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Ar/C₄F₆/O₂の混合ガスを含む容量結合プラズマを用いてSiO₂とアモルファスカーボン膜(ACL)のエッチングを行った。容量結合プラズマを駆動するパルス化三重周波数の中の13.56MHzの出力がエッチング特性に与える効果を調べた。二重周波数と比較して,三重周波数を用いた場合,より異方的なエッチプロファイルが得られた。最良のエッチング特性を与える出力を決定した。オンオフ条件を同期させたパルスを用いると,最良のエッチング特性が得られた。また,ACL上のSiO₂に対して最良のエッチング選択性を与える条件を示した。

シソーラス用語： *プラズマ ,  *エッチング ,  *二酸化ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  炭素材 ,  選択腐食 ,  効果
準シソーラス用語： 容量結合プラズマ ,  エッチング特性 ,  アモルファスカーボン ,  選択エッチング ,  *高周波プラズマ ,  高周波数効果

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  O2 ,  容量結合プラズマ ,  パルス化 ,  SiO2 ,  エッチング特性